
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 572.12 грн |
10+ | 422.74 грн |
100+ | 285.00 грн |
500+ | 283.52 грн |
1000+ | 267.89 грн |
2000+ | 241.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBLS1D7N10MCTXG onsemi
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NTBLS1D7N10MCTXG за ціною від 229.60 грн до 580.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTBLS1D7N10MCTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
NTBLS1D7N10MCTXG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
NTBLS1D7N10MCTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |