NTBLS4D0N15MC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 207.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTBLS4D0N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 187A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 316W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 316W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTBLS4D0N15MC за ціною від 201.59 грн до 409.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTBLS4D0N15MC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBLS4D0N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, TOLL, 150 V, 4.4 mohm?, 187A |
на замовлення 6702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTBLS4D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTBLS4D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 187A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 316W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 316W Bauform - Transistor: H-PSOF Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Case: H-PSOF8L Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 90.4nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 316W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 187A Pulsed drain current: 2255A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| NTBLS4D0N15MC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Case: H-PSOF8L Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 90.4nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 316W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 187A Pulsed drain current: 2255A Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |