Продукція > ONSEMI > NTBS2D7N06M7
NTBS2D7N06M7

NTBS2D7N06M7 onsemi

ntbs2d7n06m7-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.01 грн
10+373.68 грн
100+274.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBS2D7N06M7 onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTBS2D7N06M7 за ціною від 259.80 грн до 616.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBS2D7N06M7 NTBS2D7N06M7 Виробник : onsemi NTBS2D7N06M7_D-2318787.pdf MOSFETs NMOS 60V 2.7 MOHM
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.48 грн
10+425.37 грн
25+368.42 грн
100+272.28 грн
800+259.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7 Виробник : ONSEMI ntbs2d7n06m7-d.pdf NTBS2D7N06M7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7 NTBS2D7N06M7 Виробник : onsemi ntbs2d7n06m7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.