Продукція > ONSEMI > NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC

NTBS9D0N10MC ONSEMI

3108680.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.50 грн
500+77.98 грн
1000+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBS9D0N10MC ONSEMI

Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NTBS9D0N10MC за ціною від 70.57 грн до 175.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTBS9D0N10MC NTBS9D0N10MC Виробник : onsemi NTBS9D0N10MC_D-2318585.pdf MOSFETs MOSFET - Single N-Channel 100 V, 9.0 mohm, 60 A
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.12 грн
10+135.04 грн
100+102.75 грн
800+83.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MC NTBS9D0N10MC Виробник : ONSEMI 3108680.pdf Description: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.36 грн
10+132.55 грн
100+109.50 грн
500+77.98 грн
1000+70.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MC Виробник : ONSEMI NTBS9D0N10MC SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.