Продукція > ONSEMI > NTC040N120SC1
NTC040N120SC1

NTC040N120SC1 onsemi

ntc040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 26306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
819+1019.80 грн
Мінімальне замовлення: 819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTC040N120SC1 onsemi

Description: SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTC040N120SC1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTC040N120SC1 ONN ntc040n120sc1-d.pdf
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTC040N120SC1 onsemi ntc040n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
на замовлення 1 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTC040N120SC1 ntc040n120sc1-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 654 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTC040N120SC1 ntc040n120sc1-d.pdf
Виробник: onsemi
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die
на замовлення 1 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.