Продукція > ONSEMI > NTC040N120SC1

NTC040N120SC1 onsemi

Виробник: onsemi
MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die

на замовлення 51 шт:

термін постачання 154-163 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	1483.77 грн
10+	1289.06 грн
25+	1090.21 грн
50+	1029.46 грн
100+	968.71 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTC040N120SC1 onsemi

Description: SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTC040N120SC1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
NTC040N120SC1	Виробник : ON Semiconductor	Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 1200 V, 40 m, Bare Die	товар відсутній
NTC040N120SC1	Виробник : ON Semiconductor	Silicon Carbide MOSFET,40mohm,1200V	товар відсутній
NTC040N120SC1	Виробник : onsemi	Description: SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V	товар відсутній