Продукція > ONSEMI > NTD14N03RT4G
NTD14N03RT4G

NTD14N03RT4G onsemi

ntd14n03r-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD14N03RT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 20.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.

Інші пропозиції NTD14N03RT4G за ціною від 21.01 грн до 107.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 1.8nC
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.71 грн
16+27.00 грн
17+26.08 грн
50+24.57 грн
100+23.73 грн
500+21.64 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.38 грн
100+31.79 грн
500+23.16 грн
1000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+91.36 грн
157+90.45 грн
188+75.47 грн
250+68.22 грн
500+57.96 грн
1000+46.29 грн
3000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.42 грн
10+91.36 грн
25+90.45 грн
100+72.77 грн
250+63.17 грн
500+55.64 грн
1000+46.29 грн
3000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description MOSFETs 25V 14A N-Channel
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ON Semiconductor ntd14n03r-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G ONSEMI ntd14n03r-d.pdf description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G ON Semiconductor NTD14N03R-D_ONS.PDF description N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G******
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G ONSEMI NTD14N03R-D.PDF description Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 89500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 2.5A; Idm: 28A; 20.8W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 20.8W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 1.8nC
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.71 грн
16+27.00 грн
17+26.08 грн
50+24.57 грн
100+23.73 грн
500+21.64 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.95 грн
10+48.38 грн
100+31.79 грн
500+23.16 грн
1000+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+91.36 грн
157+90.45 грн
188+75.47 грн
250+68.22 грн
500+57.96 грн
1000+46.29 грн
3000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.42 грн
10+91.36 грн
25+90.45 грн
100+72.77 грн
250+63.17 грн
500+55.64 грн
1000+46.29 грн
3000+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs 25V 14A N-Channel
на замовлення 4594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 14 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 20.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description NTD14N03R-D_ONS.PDF
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 2,5 А, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 115 @ 20, Qg, нКл = 1,8 @ 5 В, Rds = 95 мОм @ 5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.02 грн
Мінімальне замовлення: 1274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G******
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description NTD14N03R-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD14N03RT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 89500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.