Продукція > ONSEMI > NTD18N06-1G
NTD18N06-1G

NTD18N06-1G onsemi

ntd18n06-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2049+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 2049
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD18N06-1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTD18N06-1G за ціною від 10.74 грн до 10.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD18N06-1G NTD18N06-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD18N06-1G - NTD18N06-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2475+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 2475
NTD18N06-1G ntd18n06-d.pdf
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD18N06-1G NTD18N06-1G Виробник : onsemi ntd18n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товар відсутній