Продукція > ONSEMI > NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G onsemi

ntd18n06l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.78 грн
5000+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD18N06LT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD18N06LT4G за ціною від 32.00 грн до 99.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+75.45 грн
170+72.86 грн
216+57.27 грн
250+54.63 грн
500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi ntd18n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.97 грн
10+60.09 грн
100+46.61 грн
500+37.61 грн
1000+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI 2355009.pdf Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.49 грн
50+66.25 грн
100+50.99 грн
500+40.93 грн
1000+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+97.63 грн
10+80.84 грн
25+78.06 грн
100+59.16 грн
250+54.20 грн
500+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi A4082FD931587C41D459E7D29ABEC70DA8D0A1E30C5B203459A6C417775A5CC3.pdf MOSFETs 60V 18A N-Channel
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.31 грн
10+63.28 грн
25+54.95 грн
100+42.94 грн
500+37.09 грн
1000+34.58 грн
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI ntd18n06l-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; 55W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.