Продукція > ONSEMI > NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G onsemi

ntd18n06l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.20 грн
5000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD18N06LT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTD18N06LT4G за ціною від 30.38 грн до 100.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
164+74.73 грн
170+72.16 грн
216+56.72 грн
250+54.11 грн
500+44.35 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+83.81 грн
10+69.39 грн
25+67.01 грн
100+50.79 грн
250+46.53 грн
500+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi ntd18n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 5165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+59.24 грн
100+44.39 грн
500+36.55 грн
1000+33.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI 2355009.pdf Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.054 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+99.03 грн
50+67.67 грн
100+50.92 грн
500+40.08 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : onsemi NTD18N06L_D-2318500.pdf MOSFETs 60V 18A N-Channel
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+72.34 грн
100+46.64 грн
500+37.67 грн
1000+34.72 грн
2500+31.71 грн
5000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G Виробник : ONSEMI ntd18n06l-d.pdf NTD18N06LT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.