Продукція > ONSEMI > NTD18N06LT4G
NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G onsemi

ntd18n06l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.32 грн
5000+28.04 грн
7500+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD18N06LT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD18N06LT4G за ціною від 31.51 грн до 113.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.43 грн
170+83.47 грн
216+65.60 грн
250+62.59 грн
500+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G ON Semiconductor ntd18n06l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.39 грн
10+86.43 грн
25+83.47 грн
100+63.26 грн
250+57.95 грн
500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G onsemi ntd18n06l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.40 грн
10+69.51 грн
100+46.58 грн
500+34.48 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G onsemi ntd18n06l-d.pdf MOSFETs 60V 18A N-Channel
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G ONSEMI 2355009.pdf Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G ONN ntd18n06l-d.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G ntd18n06l-d.pdf
NTD18N06LT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
164+86.43 грн
170+83.47 грн
216+65.60 грн
250+62.59 грн
500+51.30 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G ntd18n06l-d.pdf
NTD18N06LT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+104.39 грн
10+86.43 грн
25+83.47 грн
100+63.26 грн
250+57.95 грн
500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G ntd18n06l-d.pdf
NTD18N06LT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.40 грн
10+69.51 грн
100+46.58 грн
500+34.48 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G ntd18n06l-d.pdf
NTD18N06LT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 18A N-Channel
на замовлення 4827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G 2355009.pdf
NTD18N06LT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD18N06LT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18 A, 0.065 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD18N06LT4G ntd18n06l-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.