Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTD20N03L27T4G
NTD20N03L27T4G

NTD20N03L27T4G ON Semiconductor

ntd20n03l27-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD20N03L27T4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 74W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTD20N03L27T4G за ціною від 36.93 грн до 131.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ON Semiconductor ntd20n03l27-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 5156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.32 грн
10+ 80.13 грн
100+ 62.34 грн
500+ 49.59 грн
1000+ 40.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : onsemi NTD20N03L27_D-2318501.pdf MOSFET 30V 20A N-Channel
на замовлення 35565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.27 грн
10+ 88.61 грн
100+ 60.25 грн
500+ 51.02 грн
1000+ 41.58 грн
2500+ 37.2 грн
5000+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.023 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 74W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.89 грн
10+ 106.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ON Semiconductor ntd20n03l27-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ON Semiconductor ntd20n03l27-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD20N03L27T4G Виробник : ONSEMI NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NTD20N03L27T4G Виробник : ONSEMI NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 74W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній