Продукція > ONSEMI > NTD20N03L27T4G
NTD20N03L27T4G

NTD20N03L27T4G onsemi


NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD20N03L27T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTD20N03L27T4G за ціною від 17.37 грн до 127.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : UMW dc425789654009921b1e785ec5a8f5d1.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.61 грн
10+40.73 грн
100+26.57 грн
500+19.21 грн
1000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ON Semiconductor ntd20n03l27-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : onsemi NTD20N03L27-D.PDF MOSFETs 30V 20A N-Channel
на замовлення 19386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.80 грн
10+67.91 грн
100+41.02 грн
500+32.43 грн
1000+29.70 грн
2500+25.79 грн
5000+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.06 грн
10+67.30 грн
100+44.93 грн
500+33.18 грн
1000+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ONSEMI NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf dc425789654009921b1e785ec5a8f5d1.pdf Description: ONSEMI - NTD20N03L27T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.19 грн
11+80.22 грн
100+53.56 грн
500+39.14 грн
1000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ON Semiconductor ntd20n03l27-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : ON Semiconductor ntd20n03l27-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G Виробник : UMW dc425789654009921b1e785ec5a8f5d1.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.