Продукція > ONSEMI > NTD20N06T4G
NTD20N06T4G

NTD20N06T4G onsemi

ntd20n06-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD20N06T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

Інші пропозиції NTD20N06T4G за ціною від 41.38 грн до 143.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD20N06T4G NTD20N06T4G ON Semiconductor ntd20n06d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G ON Semiconductor ntd20n06d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G ON Semiconductor ntd20n06d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.77 грн
10+109.98 грн
25+108.87 грн
50+104.88 грн
100+78.16 грн
250+74.29 грн
500+62.28 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G onsemi ntd20n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.17 грн
10+88.35 грн
100+60.07 грн
500+45.03 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G ONSEMI ntd20n06-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.68 грн
5+106.24 грн
10+93.06 грн
50+67.53 грн
100+60.12 грн
200+55.18 грн
500+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G onsemi ntd20n06-d.pdf MOSFETs 60V 20A N-Channel
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G ONSEMI ntd20n06-d.pdf Description: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G ONSEMI ntd20n06-d.pdf Description: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G**********
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ON ntd20n06-d.pdf 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+137.77 грн
10+109.98 грн
25+108.87 грн
50+104.88 грн
100+78.16 грн
250+74.29 грн
500+62.28 грн
1000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+143.17 грн
10+88.35 грн
100+60.07 грн
500+45.03 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10A; Idm: 60A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+143.68 грн
5+106.24 грн
10+93.06 грн
50+67.53 грн
100+60.12 грн
200+55.18 грн
500+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 20A N-Channel
на замовлення 3207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD20N06T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.91V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G**********
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
Виробник: ON
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.