Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G

NTD20P06LT4G ON Semiconductor

ntd20p06l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD20P06LT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTD20P06LT4G за ціною від 29.35 грн до 113.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.34 грн
5000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : ONSEMI ntd20p06l-d.pdf Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.53 грн
500+42.45 грн
1000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : ONSEMI 2311724.pdf Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.143 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.143ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.90 грн
50+68.17 грн
100+57.44 грн
500+43.22 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89E7BC6C8FF9E27&compId=NTD20P06-DTE.PDF?ci_sign=cd706c4a6fc93bc90b41bca030c4664c37cc4ead Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.91 грн
10+61.23 грн
30+31.11 грн
80+29.43 грн
250+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : onsemi ntd20p06l-d.pdf MOSFETs -60V -15.5A P-Channel
на замовлення 118862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+70.81 грн
25+56.65 грн
100+44.14 грн
250+44.07 грн
500+38.18 грн
1000+33.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.64 грн
10+70.04 грн
100+50.25 грн
500+37.87 грн
1000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A89E7BC6C8FF9E27&compId=NTD20P06-DTE.PDF?ci_sign=cd706c4a6fc93bc90b41bca030c4664c37cc4ead Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -15.5A
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.89 грн
10+76.30 грн
30+37.34 грн
80+35.31 грн
250+35.22 грн
2500+33.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd20p06l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G Виробник : ON Semiconductor ntd20p06l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.