NTD20P06LT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 30.02 грн |
| 5000+ | 26.86 грн |
| 7500+ | 25.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD20P06LT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTD20P06LT4G за ціною від 27.61 грн до 109.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD20P06LT4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -60V -15.5A P-Channel |
на замовлення 106773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD20P06LT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V |
на замовлення 8689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|