Продукція > ONSEMI > NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G

NTD20P06LT4G onsemi

ntd20p06l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+29.74 грн
5000+26.60 грн
7500+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD20P06LT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTD20P06LT4G за ціною від 29.95 грн до 115.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI 2311724.pdf Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.63 грн
50+60.03 грн
100+42.83 грн
500+37.98 грн
1000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G ONSEMI NTD20P06-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -15.5A
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.11 грн
7+62.52 грн
10+54.39 грн
20+47.92 грн
50+41.29 грн
100+37.39 грн
200+34.16 грн
500+30.76 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+66.41 грн
100+44.38 грн
500+32.80 грн
1000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06LT4G onsemi ntd20p06l-d.pdf MOSFETs -60V -15.5A P-Channel
на замовлення 106560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.72 грн
10+73.59 грн
100+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G 2311724.pdf
NTD20P06LT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD20P06LT4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 15.5 A, 0.15 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.63 грн
50+60.03 грн
100+42.83 грн
500+37.98 грн
1000+33.41 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G NTD20P06-DTE.PDF
NTD20P06LT4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 65W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -15.5A
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+99.11 грн
7+62.52 грн
10+54.39 грн
20+47.92 грн
50+41.29 грн
100+37.39 грн
200+34.16 грн
500+30.76 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTD20P06LT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+108.49 грн
10+66.41 грн
100+44.38 грн
500+32.80 грн
1000+29.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20P06LT4G ntd20p06l-d.pdf
NTD20P06LT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs -60V -15.5A P-Channel
на замовлення 106560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+115.72 грн
10+73.59 грн
100+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.