
NTD24N06LT4G ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 40.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD24N06LT4G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції NTD24N06LT4G за ціною від 14.29 грн до 153.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : onsemi |
![]() ![]() |
на замовлення 10279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V |
на замовлення 10640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NTD24N06LT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : UMW |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
NTD24N06LT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |