NTD25P03LT4G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD25P03LT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTD25P03LT4G за ціною від 35.24 грн до 149.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD25P03LT4G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD25P03LT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 14090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD25P03LT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 14050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD25P03LT4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -30V -25A P-Channel |
на замовлення 16192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD25P03LT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V |
на замовлення 4189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | Виробник : ONSEMI |
NTD25P03LT4G SMD P channel transistors |
на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|