NTD25P03LT4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.35 грн |
| 5000+ | 22.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD25P03LT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTD25P03LT4G за ціною від 22.44 грн до 101.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD25P03LT4G | onsemi |
MOSFETs -30V -25A P-Channel |
на замовлення 15759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD25P03LT4G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhancement Drain current: -25A Gate charge: 20nC On-state resistance: 90mΩ Gate-source voltage: ±15V |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD25P03LT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD25P03LT4G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ON-Semiconductor |
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V -25A P-Channel
MOSFETs -30V -25A P-Channel
на замовлення 15759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.92 грн |
| 10+ | 53.51 грн |
| 100+ | 34.59 грн |
| 500+ | 29.27 грн |
| 1000+ | 25.27 грн |
| 2500+ | 22.64 грн |
| 5000+ | 22.44 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -25A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -25A
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 90mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 94.86 грн |
| 7+ | 68.97 грн |
| 10+ | 60.66 грн |
| 50+ | 49.86 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.84 грн |
| 50+ | 65.32 грн |
| 100+ | 46.63 грн |
| 500+ | 34.18 грн |
| 1000+ | 28.72 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.74 грн |
| 10+ | 61.85 грн |
| 100+ | 41.04 грн |
| 500+ | 30.13 грн |
| 1000+ | 27.44 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.63 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.63 грн |
| NTD25P03LT4G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.63 грн |





