Продукція > ONSEMI > NTD25P03LT4G

NTD25P03LT4G onsemi


ntd25p03l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD25P03LT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD25P03LT4G за ціною від 27.20 грн до 105.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
282+50.32 грн
283+50.09 грн
329+43.12 грн
331+41.24 грн
500+34.68 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ON Semiconductor ntd25p03l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.17 грн
15+50.32 грн
25+50.09 грн
100+41.58 грн
250+38.19 грн
500+33.29 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI NTD25P03L.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.74 грн
7+69.61 грн
10+61.22 грн
50+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G onsemi ntd25p03l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.70 грн
50+47.51 грн
100+39.67 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G onsemi ntd25p03l-d.pdf MOSFETs -30V -25A P-Channel
на замовлення 15759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03LT4G ONSEMI 1910544.pdf Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ON-Semiconductor ntd25p03l-d.pdf P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ON-Semiconductor ntd25p03l-d.pdf P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
282+50.32 грн
283+50.09 грн
329+43.12 грн
331+41.24 грн
500+34.68 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.17 грн
15+50.32 грн
25+50.09 грн
100+41.58 грн
250+38.19 грн
500+33.29 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G NTD25P03L.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -25A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.74 грн
7+69.61 грн
10+61.22 грн
50+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+105.03 грн
10+63.70 грн
50+47.51 грн
100+39.67 грн
500+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs -30V -25A P-Channel
на замовлення 15759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G 1910544.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD25P03LT4G - Leistungs-MOSFET, Logikpegel, p-Kanal, 30 V, 25 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD25P03LT4G ntd25p03l-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.