Продукція > ONSEMI > NTD2955T4G
NTD2955T4G

NTD2955T4G onsemi

ntd2955-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.58 грн
5000+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD2955T4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 55W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.

Інші пропозиції NTD2955T4G за ціною від 22.50 грн до 129.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD2955T4G NTD2955T4G ON Semiconductor ntd2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ON Semiconductor ntd2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ON Semiconductor ntd2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+66.11 грн
250+59.89 грн
1000+56.26 грн
2500+51.76 грн
5000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ON Semiconductor ntd2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.09 грн
12+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G UMW 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+51.89 грн
100+34.08 грн
500+24.81 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ONSEMI ntd2955-d.pdf 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 15nC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.66 грн
10+58.41 грн
100+46.02 грн
250+41.25 грн
500+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G onsemi ntd2955-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 35216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.82 грн
10+79.38 грн
100+53.30 грн
500+39.51 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ONSEMI 2354114.pdf Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G onsemi ntd2955-d.pdf 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf MOSFETs -60V -12A P-Channel
на замовлення 18770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G NTD2955T4G ON Semiconductor ntd2955d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
214+66.11 грн
250+59.89 грн
1000+56.26 грн
2500+51.76 грн
5000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.09 грн
12+63.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf
NTD2955T4G
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
на замовлення 4603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.03 грн
10+51.89 грн
100+34.08 грн
500+24.81 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 15nC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.66 грн
10+58.41 грн
100+46.02 грн
250+41.25 грн
500+37.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 35216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.82 грн
10+79.38 грн
100+53.30 грн
500+39.51 грн
1000+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G 2354114.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955-d.pdf 895ba1ed7c2941c8688f4371dd91af93.pdf
NTD2955T4G
Виробник: onsemi
MOSFETs -60V -12A P-Channel
на замовлення 18770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD2955T4G ntd2955d.pdf
NTD2955T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.