NTD2955T4G ON Semiconductor
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 28.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD2955T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm.
Інші пропозиції NTD2955T4G за ціною від 23.66 грн до 122.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 82500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD2955T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 260000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD2955T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm |
на замовлення 7522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 6381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD2955T4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -60V -12A P-Channel |
на замовлення 38326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTD2955T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -18A Mounting: SMD |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NTD2955T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A On-state resistance: 0.18Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 55W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -18A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|