Технічний опис NTD2955T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 55W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm.
Інші пропозиції NTD2955T4G за ціною від 25.04 грн до 135.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD2955T4G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD2955T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 177500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD2955T4G | UMW |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
на замовлення 4593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD2955T4G | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -12A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 55W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NTD2955T4G | onsemi |
MOSFETs -60V -12A P-Channel |
на замовлення 17136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NTD2955T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 55W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm |
на замовлення 4621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NTD2955T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.80 грн |
| 5000+ | 33.89 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.55 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 214+ | 66.11 грн |
| 250+ | 60.66 грн |
| 1000+ | 57.48 грн |
| 2500+ | 53.25 грн |
| 5000+ | 47.75 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 80.76 грн |
| 17+ | 45.55 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: UMW
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
на замовлення 4593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 86.24 грн |
| 10+ | 52.34 грн |
| 50+ | 38.78 грн |
| 100+ | 32.28 грн |
| 500+ | 25.04 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -12A; Idm: -18A; 55W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 55W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 123.07 грн |
| 10+ | 59.09 грн |
| 100+ | 46.56 грн |
| 250+ | 41.73 грн |
| 500+ | 38.09 грн |
| 1000+ | 34.45 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.29 грн |
| 10+ | 83.12 грн |
| 50+ | 62.53 грн |
| 100+ | 52.45 грн |
| 500+ | 41.50 грн |
| NTD2955T4G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs -60V -12A P-Channel
MOSFETs -60V -12A P-Channel
на замовлення 17136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTD2955T4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
Description: ONSEMI - NTD2955T4G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 55W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTD2955T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)