Продукція > ONSEMI > NTD3055-094T4G
NTD3055-094T4G
NTD3055-094T4G
NTD3055-094T4GNTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G ONSEMI

ntd3055-094-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+93.55 грн
10+57.91 грн
20+49.47 грн
50+40.29 грн
100+34.99 грн
200+30.86 грн
500+26.89 грн
1000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055-094T4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTD3055-094T4G за ціною від 21.28 грн до 96.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G onsemi ntd3055-094-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.87 грн
5000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ON Semiconductor ntd3055094d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.33 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ON Semiconductor ntd3055094d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.50 грн
5000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ON Semiconductor ntd3055094d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.25 грн
500+40.93 грн
1000+38.41 грн
2500+35.32 грн
5000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ON Semiconductor ntd3055094d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.14 грн
291+48.65 грн
350+40.38 грн
354+38.55 грн
500+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ON Semiconductor ntd3055094d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.27 грн
16+49.14 грн
25+48.65 грн
100+38.94 грн
250+35.69 грн
500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G onsemi ntd3055-094-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.65 грн
10+58.60 грн
100+38.80 грн
500+28.43 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G onsemi ntd3055-094-d.pdf MOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ONSEMI ntd3055-094-d.pdf Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G ONSEMI ONSM-S-A0013669813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.87 грн
5000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055094d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.33 грн
5000+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055094d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+30.50 грн
5000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055094d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
312+45.25 грн
500+40.93 грн
1000+38.41 грн
2500+35.32 грн
5000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055094d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
288+49.14 грн
291+48.65 грн
350+40.38 грн
354+38.55 грн
500+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055094d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.27 грн
16+49.14 грн
25+48.65 грн
100+38.94 грн
250+35.69 грн
500+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.65 грн
10+58.60 грн
100+38.80 грн
500+28.43 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ntd3055-094-d.pdf
NTD3055-094T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-094T4G ONSM-S-A0013669813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD3055-094T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.