Продукція > ONSEMI > NTD3055-094T4G
NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G ONSEMI

ONSM-S-A0013669813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.54 грн
500+ 31.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055-094T4G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTD3055-094T4G за ціною від 25.91 грн до 77.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : onsemi ntd3055-094-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.8 грн
10+ 51.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : onsemi NTD3055_094_D-2318668.pdf MOSFET 60V 12A N-Channel
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.51 грн
10+ 57.6 грн
100+ 34.94 грн
500+ 29.56 грн
1000+ 25.97 грн
2500+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+77.5 грн
12+ 64.16 грн
100+ 40.54 грн
500+ 31.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055-094-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055-094-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055-094-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055-094T4G NTD3055-094T4G Виробник : onsemi ntd3055-094-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній