NTD3055-094T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.29 грн |
| 5000+ | 21.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD3055-094T4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTD3055-094T4G за ціною від 21.43 грн до 109.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD3055-094T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | onsemi |
MOSFETs 60V 12A N-Channel |
на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 24931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055-094T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 333+ | 42.52 грн |
| 500+ | 40.66 грн |
| 1000+ | 37.31 грн |
| 2500+ | 34.67 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 320+ | 44.23 грн |
| 323+ | 43.79 грн |
| 370+ | 38.24 грн |
| 374+ | 36.51 грн |
| 500+ | 30.34 грн |
| 1000+ | 25.94 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.64 грн |
| 500+ | 32.99 грн |
| 1000+ | 27.77 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 55.70 грн |
| 18+ | 44.23 грн |
| 25+ | 43.79 грн |
| 100+ | 36.88 грн |
| 250+ | 33.81 грн |
| 500+ | 29.13 грн |
| 1000+ | 25.94 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 12A N-Channel
MOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.21 грн |
| 10+ | 59.90 грн |
| 100+ | 34.47 грн |
| 500+ | 26.92 грн |
| 1000+ | 24.46 грн |
| 2500+ | 21.85 грн |
| 5000+ | 21.43 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 24931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.32 грн |
| 10+ | 59.63 грн |
| 100+ | 39.48 грн |
| 500+ | 28.93 грн |
| 1000+ | 26.31 грн |
| NTD3055-094T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.37 грн |
| 50+ | 68.83 грн |
| 100+ | 45.64 грн |
| 500+ | 32.99 грн |
| 1000+ | 27.77 грн |





