NTD3055-094T4G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.9nC
Pulsed drain current: 45A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 72.85 грн |
| 10+ | 48.11 грн |
| 25+ | 41.09 грн |
| 50+ | 36.41 грн |
| 100+ | 32.32 грн |
| 500+ | 24.55 грн |
| 1000+ | 21.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD3055-094T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTD3055-094T4G за ціною від 21.09 грн до 107.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 12A N-Channel |
на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 21756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |