NTD3055-094T4G ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 72.69 грн |
| 10+ | 48.00 грн |
| 25+ | 41.00 грн |
| 50+ | 36.33 грн |
| 100+ | 32.25 грн |
| 500+ | 24.50 грн |
| 1000+ | 21.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD3055-094T4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTD3055-094T4G за ціною від 18.61 грн до 97.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
NTD3055-094T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055-094T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
на замовлення 12962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD3055-094T4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 12A N-Channel |
на замовлення 6175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD3055-094T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |