Продукція > ONSEMI > NTD3055L104T4G
NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G ONSEMI

NTD3055L104.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.17 грн
24+ 34.6 грн
64+ 32.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD3055L104T4G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTD3055L104T4G за ціною від 24.71 грн до 74.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ONSEMI NTD3055L104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.01 грн
24+ 43.11 грн
64+ 39.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : onsemi NTD3055L104_D-2318904.pdf MOSFET 60V 12A N-Channel
на замовлення 116201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.24 грн
10+ 59.58 грн
100+ 40.25 грн
500+ 34.14 грн
1000+ 27.83 грн
2500+ 25.18 грн
5000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : ON Semiconductor ntd3055l104-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
NTD3055L104T4G NTD3055L104T4G Виробник : onsemi ntd3055l104-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній