Інші пропозиції NTD3055L104T4G за ціною від 23.81 грн до 126.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTD3055L104T4G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 20816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NTD3055L104T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 48W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm |
на замовлення 7226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NTD3055L104T4G | onsemi |
MOSFETs 60V 12A N-Channel |
на замовлення 52626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.01 грн |
| 5000+ | 27.74 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.62 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 36.74 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.90 грн |
| 10+ | 49.93 грн |
| 100+ | 32.75 грн |
| 500+ | 23.81 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 96.16 грн |
| 500+ | 50.22 грн |
| 1000+ | 47.98 грн |
| 2500+ | 45.19 грн |
| 5000+ | 38.85 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.104Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 109.04 грн |
| 10+ | 61.67 грн |
| 20+ | 55.31 грн |
| 100+ | 43.26 грн |
| 200+ | 38.91 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 20816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.22 грн |
| 10+ | 74.03 грн |
| 100+ | 49.52 грн |
| 500+ | 36.60 грн |
| 1000+ | 33.42 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 126.74 грн |
| 10+ | 94.19 грн |
| 100+ | 63.92 грн |
| 500+ | 42.64 грн |
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 7226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NTD3055L104T4G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 12A N-Channel
MOSFETs 60V 12A N-Channel
на замовлення 52626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| Кнопка тактова TACTM-613N-F Код товару: 72986
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Ninigi
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: SMD
Розмір, мм: 6x6 мм
Висота кнопки, мм: 13 мм
Опис: Кнопка тактова; 1-position; SPST-NO; 0.05A/12VDC; SMT; 1.6N Під smd монтаж.
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: SMD
Розмір, мм: 6x6 мм
Висота кнопки, мм: 13 мм
Опис: Кнопка тактова; 1-position; SPST-NO; 0.05A/12VDC; SMT; 1.6N Під smd монтаж.
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
у наявності: 1261 шт
- 856 шт - склад
- 82 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 43 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 80 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 200 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 200 шт
- 200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| SWT-2/5 (CTT-1102A-160G) (кнопка тактова) Код товару: 35179
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Well Buying
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, мм: 6x6 мм
Висота кнопки, мм: 5 мм
Опис: Кнопка тактова, зусилля 160г, 0,05A; 12VDC, повна висота всієї кнопки: 5 mm
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
8536 50 11 90
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, мм: 6x6 мм
Висота кнопки, мм: 5 мм
Опис: Кнопка тактова, зусилля 160г, 0,05A; 12VDC, повна висота всієї кнопки: 5 mm
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
8536 50 11 90
у наявності: 3590 шт
- 3276 шт - склад
- 103 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 186 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.35 грн |











