NTD3055L104T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 29.36 грн |
| 5000+ | 26.25 грн |
| 7500+ | 25.22 грн |
| 12500+ | 23.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD3055L104T4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTD3055L104T4G за ціною від 21.96 грн до 126.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD3055L104T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD3055L104T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD3055L104T4G | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD3055L104T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD3055L104T4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.104Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 45A |
на замовлення 518 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD3055L104T4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
на замовлення 15298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD3055L104T4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 12A N-Channel |
на замовлення 58391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD3055L104T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD3055L104T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD3055L104T4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NTD3055L104T4G Код товару: 208676
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
NTD3055L104T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTD3055L104T4G | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
NTD3055L104T4G | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |