Продукція > ONSEMI > NTD360N80S3Z
NTD360N80S3Z

NTD360N80S3Z onsemi

ntd360n80s3z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD360N80S3Z onsemi

Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTD360N80S3Z за ціною від 84.26 грн до 257.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : onsemi ntd360n80s3z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1143 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.21 грн
10+149.59 грн
100+108.72 грн
500+85.15 грн
1000+84.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : onsemi ntd360n80s3z-d.pdf MOSFETs SF3 800V 360MOHM DPAK
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.49 грн
10+175.98 грн
100+111.82 грн
500+109.62 грн
1000+99.32 грн
2500+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z Виробник : ON Semiconductor ntd360n80s3z-d.pdf
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : ON Semiconductor ntd360n80s3z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : ON Semiconductor ntd360n80s3z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0010100936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : ON Semiconductor ntd360n80s3z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z NTD360N80S3Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0010100936-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD360N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z Виробник : ONSEMI ntd360n80s3z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD360N80S3Z Виробник : ONSEMI ntd360n80s3z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.2A; Idm: 32.5A; 96W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32.5A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.