NTD4302G

NTD4302G onsemi


ntd4302-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
на замовлення 43625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
650+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 650
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4302G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V.

Інші пропозиції NTD4302G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD4302G Виробник : ON ntd4302-d.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD4302G NTD4302G Виробник : ON Semiconductor ntd4302-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
NTD4302G NTD4302G Виробник : onsemi ntd4302-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товар відсутній
NTD4302G NTD4302G Виробник : onsemi NTD4302_D-2318412.pdf MOSFET 30V 68A N-Channel
товар відсутній