
NTD4806NA-1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4806NA-1G - NTD4806NA-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTD4806NA-1G - NTD4806NA-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3225+ | 9.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4806NA-1G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTD4806NA-1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTD4806NA-1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V |
на замовлення 7725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
NTD4806NA-1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTD4806NA-1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |