NTD4806NAT4G onsemi
                                                                                Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
            
                    Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4806NAT4G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V. 
Інші пропозиції NTD4806NAT4G за ціною від 22.48 грн до 22.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4806NAT4G | Виробник : ONSEMI | 
            
                         Description: ONSEMI - NTD4806NAT4G - NTD4806NAT4G - MOSFET N-CH 30V 11A DPAKtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
        
                             на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||
| NTD4806NAT4G | Виробник : ON Semiconductor | 
                             на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | 
        |||||||
| NTD4806NAT4G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        ||||||
| NTD4806NAT4G | Виробник : ON Semiconductor | 
            
                         TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        ||||||
                      | 
        NTD4806NAT4G | Виробник : onsemi | 
                                    Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V  | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        
