Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTD4809N-1G
NTD4809N-1G

NTD4809N-1G ON Semiconductor

ntd4809n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3040+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3040
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4809N-1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTD4809N-1G за ціною від 9.09 грн до 11.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD4809N-1G NTD4809N-1G Виробник : onsemi NTD4809N%2CNVD4809N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2019+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 2019
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD4809N-1G - NTD4809N-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3600+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3600
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1G NTD4809N%2CNVD4809N.pdf
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1G NTD4809N-1G Виробник : ON Semiconductor ntd4809n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1G NTD4809N-1G Виробник : onsemi NTD4809N%2CNVD4809N.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809N-1G NTD4809N-1G Виробник : onsemi NTD4809N_D-2318669.pdf MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.