Продукція > ONSEMI > NTD4809NAT4G
NTD4809NAT4G

NTD4809NAT4G onsemi


NTD4809NA.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 193200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1401+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 1401
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4809NAT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTD4809NAT4G за ціною від 15.84 грн до 15.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD4809NAT4G NTD4809NAT4G Виробник : ONSEMI NTD4809NA.pdf Description: ONSEMI - NTD4809NAT4G - NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 193200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NTD4809NAT4G NTD4809NA.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD4809NAT4G NTD4809NAT4G Виробник : ON Semiconductor ntd4809na.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NTD4809NAT4G NTD4809NAT4G Виробник : onsemi NTD4809NA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
товар відсутній
NTD4809NAT4G NTD4809NAT4G Виробник : onsemi NTD4809N_D-2318669.pdf MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товар відсутній