Продукція > ONSEMI > NTD4809NH-35G
NTD4809NH-35G

NTD4809NH-35G ONSEMI

ONSM-S-A0013669876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4809NH-35G - MOSFET, N, 30V, 3 I-PAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 63872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1950+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 1950
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4809NH-35G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTD4809NH-35G за ціною від 17.58 грн до 20.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD4809NH-35G NTD4809NH-35G Виробник : ON Semiconductor ntd4809nh-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1611+19.72 грн
10000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 1611
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35G NTD4809NH-35G Виробник : ON Semiconductor ntd4809nh-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1611+19.72 грн
10000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 1611
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35G NTD4809NH-35G Виробник : onsemi NTD4809NH%2CNVD4809NH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
на замовлення 63872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1069+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1069
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35G NTD4809NH-35G Виробник : ON Semiconductor ntd4809nh-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35G NTD4809NH-35G Виробник : onsemi NTD4809NH%2CNVD4809NH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NH-35G NTD4809NH-35G Виробник : onsemi NTD4809NH_D-2318905.pdf MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.