NTD4809NT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
на замовлення 59246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 538+ | 41.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4809NT4G onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTD4809NT4G за ціною від 34.94 грн до 80.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD4809NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTD4809NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NTD4809NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NTD4809NT4G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NTD4809NT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4809NT4G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 13.1A, TO-252-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 60285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NTD4809NT4G | Виробник : ON |
SOT-252 10+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
NTD4809NT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
NTD4809NT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V |
товару немає в наявності |