NTD4815NHT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V
на замовлення 647241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4121+ | 5.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4815NHT4G onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V.
Інші пропозиції NTD4815NHT4G за ціною від 5.81 грн до 5.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4815NHT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4815NHT4G - NTD4815NHT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 647241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| NTD4815NHT4G | Виробник : ON |
07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| NTD4815NHT4G | Виробник : ON |
TO-252/D-PAK |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
NTD4815NHT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
NTD4815NHT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
NTD4815NHT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 12 V |
товар відсутній |