Продукція > ONSEMI > NTD4855NT4G
NTD4855NT4G

NTD4855NT4G onsemi


ntd4855n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
на замовлення 209901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
919+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 919
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4855NT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTD4855NT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD4855NT4G ntd4855n-d.pdf
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4855NT4G NTD4855NT4G Виробник : onsemi ntd4855n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.