Продукція > ONSEMI > NTD4857NA-1G
NTD4857NA-1G

NTD4857NA-1G onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
на замовлення 5700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 1025
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4857NA-1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V.

Інші пропозиції NTD4857NA-1G за ціною від 28.16 грн до 28.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD4857NA-1G Виробник : ONSEMI PD16498.pdf Description: ONSEMI - NTD4857NA-1G - NTD4857NA - MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1275+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 1275
NTD4857NA-1G NTD4857NA-1G Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 12 V
товар відсутній