Продукція > ONSEMI > NTD4858NT4G
NTD4858NT4G

NTD4858NT4G onsemi


ntd4858n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
на замовлення 95359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
807+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4858NT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTD4858NT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD4858NT4G NTD4858NT4G Виробник : onsemi NTD4858N_D-2318560.pdf MOSFET NFET 25V 73A 0.0062R DPAK
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4G Виробник : ON ntd4858n-d.pdf b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf 0912+ TO-252
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4G NTD4858NT4G Виробник : onsemi ntd4858n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4G NTD4858NT4G Виробник : onsemi ntd4858n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1563 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4G NTD4858NT4G Виробник : UMW b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4858NT4G NTD4858NT4G Виробник : UMW b7034aa9e89ac466bfc2736ad0988ce9.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.