Продукція > ONSEMI > NTD4863NAT4G

NTD4863NAT4G onsemi


ntd4863n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V
на замовлення 285000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1025+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4863NAT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Supplier Device Package: DPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 36.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTD4863NAT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTD4863NAT4G ON Semiconductor ntd4863n-d.pdf
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4863NAT4G ntd4863n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.