Продукція > ONSEMI > NTD4906N-35G
NTD4906N-35G

NTD4906N-35G onsemi

ntd4906n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 676661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1402+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 1402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD4906N-35G onsemi

Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTD4906N-35G за ціною від 20.61 грн до 20.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD4906N-35G NTD4906N-35G ON Semiconductor ntd4906n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 635182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35G NTD4906N-35G ON Semiconductor ntd4906n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35G NTD4906N-35G ONSEMI ONSM-S-A0013300381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 676661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35G ntd4906n-d.pdf
NTD4906N-35G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 635182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35G ntd4906n-d.pdf
NTD4906N-35G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 39829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1716+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 1716 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4906N-35G ONSM-S-A0013300381-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD4906N-35G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 676661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.