на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 67.60 грн |
| 5000+ | 62.69 грн |
| 12500+ | 60.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD5802NT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NTD5802NT4G за ціною від 54.96 грн до 148.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD5802NT4G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD5802NT4G | Виробник : onsemi |
MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5802NT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5802NT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTD5802NT4G | Виробник : ONSEMI |
NTD5802NT4G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |