NTD5802NT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 49.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD5802NT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 93.75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції NTD5802NT4G за ціною від 49.26 грн до 168.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD5802NT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD5802NT4G | Виробник : onsemi |
MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5802NT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 93.75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5802NT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V |
на замовлення 4586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTD5802NT4G | Виробник : ONSEMI |
NTD5802NT4G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |