Продукція > ONSEMI > NTD5802NT4G

NTD5802NT4G onsemi

Name: NTD5802NT4G
Brand: onsemi
SKU: 1973730-3
Price: 119950.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	47.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTD5802NT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 93.75W, SVHC: Lead (10-Jun-2022), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції NTD5802NT4G за ціною від 47.85 грн до 166.93 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NTD5802NT4G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	81.33 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

onsemi

MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel

на замовлення 1469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.32 грн
10+	121.58 грн
25+	100.09 грн
100+	85.28 грн
500+	70.20 грн
1000+	58.01 грн
2500+	52.65 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.14 грн
10+	101.32 грн
100+	69.16 грн
500+	52.00 грн
1000+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	166.93 грн
10+	107.72 грн
100+	81.33 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	81.33 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

Виробник: onsemi
MOSFET 101A, 40V, 4.2mOhms N-Channel

на замовлення 1469 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	137.32 грн
10+	121.58 грн
25+	100.09 грн
100+	85.28 грн
500+	70.20 грн
1000+	58.01 грн
2500+	52.65 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5025 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4586 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	164.14 грн
10+	101.32 грн
100+	69.16 грн
500+	52.00 грн
1000+	47.85 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

NTD5802NT4G

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5802NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 93.75W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	166.93 грн
10+	107.72 грн
100+	81.33 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.