Продукція > ONSEMI > NTD5867NLT4G
NTD5867NLT4G

NTD5867NLT4G ONSEMI

ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.06 грн
7500+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD5867NLT4G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTD5867NLT4G за ціною від 15.19 грн до 328.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : UMW ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.66 грн
10+33.08 грн
100+22.56 грн
500+16.67 грн
1000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : onsemi NTD5867NL_D-2318693.pdf MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
на замовлення 66651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.88 грн
2500+95.88 грн
5000+53.97 грн
10000+50.94 грн
25000+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+306.31 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+328.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G Виробник : TECH PUBLIC ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G
Код товару: 172926
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 33 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 675/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+35.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : onsemi ntd5867nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : onsemi ntd5867nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : UMW ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.