Продукція > ONSEMI > NTD5867NLT4G
NTD5867NLT4G

NTD5867NLT4G ONSEMI

ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.74 грн
7500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD5867NLT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD5867NLT4G за ціною від 20.92 грн до 336.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.13 грн
500+33.97 грн
1000+30.10 грн
5000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.59 грн
100+38.13 грн
500+33.97 грн
1000+30.10 грн
5000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : onsemi NTD5867NL_D-2318693.pdf MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
на замовлення 66651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.49 грн
2500+97.06 грн
5000+54.63 грн
10000+51.56 грн
25000+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+313.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : UMW ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G Виробник : TECH PUBLIC ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G
Код товару: 172926
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ON ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 33 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 675/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+40.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : onsemi ntd5867nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G Виробник : UMW ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.