Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > NTD5867NLT4G ON
NTD5867NLT4G

NTD5867NLT4G ON

ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf
Код товару: 172926
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ON
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 20 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 33 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 675/15
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NTD5867NLT4G за ціною від 14.59 грн до 348.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G TECH PUBLIC TNTD5867n_c_TECH_PUBLIC_0001.pdf Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.60 грн
7500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.54 грн
500+41.51 грн
1000+34.70 грн
5000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G UMW ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.72 грн
100+22.52 грн
500+16.18 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ONSEMI ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 29558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.24 грн
11+74.13 грн
100+49.10 грн
500+37.36 грн
1000+32.05 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+348.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+348.50 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G ON Semiconductor ntd5867nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G NTD5867NLT4G onsemi ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf MOSFETs NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G TNTD5867n_c_TECH_PUBLIC_0001.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: TECH PUBLIC
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD5867NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.60 грн
7500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ONSM-S-A0013669835-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD5867NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+54.54 грн
500+41.51 грн
1000+34.70 грн
5000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: UMW
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.00 грн
10+34.72 грн
100+22.52 грн
500+16.18 грн
1000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 29558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+116.24 грн
11+74.13 грн
100+49.10 грн
500+37.36 грн
1000+32.05 грн
5000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ntd5867nl-d.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+348.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ntd5867nl-d.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+348.50 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ntd5867nl-d.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5867NLT4G ntd5867nl-d.pdf ec3d0c524a4f6af93580ae192593f8d4.pdf
NTD5867NLT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.