NTD5867NLT4G ON
Код товару: 172926
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ON
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 33 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 675/15
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NTD5867NLT4G за ціною від 14.63 грн до 349.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD5867NLT4G | Виробник : TECH PUBLIC |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Substitute: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G; NTD5867N TNTD5867n c кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD5867NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD5867NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 39912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD5867NLT4G | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD5867NLT4G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET DPAK 60V 18A 43 MOHM |
на замовлення 66651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD5867NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5867NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.039 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 36275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 39100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 39100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NTD5867NLT4G | Виробник : On Semiconductor |
DPAK 4/Power MOSFET 60V 19A 39mOhm Single N-Channel DPAK Logic Level Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTD5867NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 20 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 675 @ 25, Qg, нКл = 15 @ 10 В, Rds = 39 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 36, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
NTD5867NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NTD5867NLT4G | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |