Продукція > ONSEMI > NTD5C632NLT4G
NTD5C632NLT4G

NTD5C632NLT4G ONSEMI

ntd5c632nl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.50 грн
500+60.05 грн
1000+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD5C632NLT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD5C632NLT4G за ціною від 44.45 грн до 159.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G Виробник : onsemi ntd5c632nl-d.pdf Description: T6 60V LL DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.13 грн
10+92.44 грн
100+64.92 грн
500+55.16 грн
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G Виробник : ONSEMI ntd5c632nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C632NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 155 A, 0.0021 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.14 грн
10+114.28 грн
100+85.50 грн
500+60.05 грн
1000+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G Виробник : ONSEMI ntd5c632nl-d.pdf NTD5C632NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C632NLT4G NTD5C632NLT4G Виробник : onsemi ntd5c632nl-d.pdf Description: T6 60V LL DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.