Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTD5C648NLT4G
NTD5C648NLT4G

NTD5C648NLT4G ON Semiconductor

ntd5c648nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+230.01 грн
5000+227.74 грн
10000+225.38 грн
25000+215.15 грн
30000+197.18 грн
50000+187.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD5C648NLT4G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, Verlustleistung: 76W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

Інші пропозиції NTD5C648NLT4G за ціною від 183.38 грн до 295.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ON Semiconductor ntd5c648nl-d.pdf NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.97 грн
10+272.07 грн
25+270.74 грн
100+233.28 грн
250+214.82 грн
500+192.13 грн
1000+183.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ON Semiconductor ntd5c648nl-d.pdf NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+295.97 грн
53+270.74 грн
100+233.28 грн
250+214.82 грн
500+192.13 грн
1000+183.38 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ON Semiconductor NTD5C648NL_D-2318417.pdf MOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NLT4G ONSEMI ntd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+295.97 грн
10+272.07 грн
25+270.74 грн
100+233.28 грн
250+214.82 грн
500+192.13 грн
1000+183.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+295.97 грн
53+270.74 грн
100+233.28 грн
250+214.82 грн
500+192.13 грн
1000+183.38 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G NTD5C648NL_D-2318417.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD5C648NLT4G ntd5c648nl-d.pdf
NTD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.