NTD5C648NLT4G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 165.36 грн |
| 1000+ | 134.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD5C648NLT4G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 91A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NTD5C648NLT4G за ціною від 134.60 грн до 293.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 70000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTD5C648NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 91 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 91A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET T6 60V LL DPAK |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
NTD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NTD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK |
товару немає в наявності |