Продукція > ONSEMI > NTD600N80S3Z
NTD600N80S3Z

NTD600N80S3Z onsemi

ntd600n80s3z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD600N80S3Z onsemi

Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.

Інші пропозиції NTD600N80S3Z за ціною від 61.85 грн до 199.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD600N80S3Z NTD600N80S3Z Виробник : ONSEMI ntd600n80s3z-d.pdf Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+116.83 грн
500+ 95.27 грн
2500+ 73.82 грн
5000+ 71.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTD600N80S3Z NTD600N80S3Z Виробник : onsemi ntd600n80s3z-d.pdf Description: MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 9285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.1 грн
10+ 109.74 грн
100+ 88.24 грн
500+ 68.03 грн
1000+ 61.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTD600N80S3Z NTD600N80S3Z Виробник : onsemi NTD600N80S3Z_D-2307129.pdf MOSFET SF3 800V 600MOHM, DPAK
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.69 грн
10+ 122.84 грн
250+ 102.14 грн
500+ 91.46 грн
1000+ 89.46 грн
2500+ 75.44 грн
5000+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTD600N80S3Z NTD600N80S3Z Виробник : ONSEMI ntd600n80s3z-d.pdf Description: ONSEMI - NTD600N80S3Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+199.21 грн
10+ 137.05 грн
100+ 116.83 грн
500+ 95.27 грн
2500+ 73.82 грн
5000+ 71.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTD600N80S3Z Виробник : ONSEMI ntd600n80s3z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTD600N80S3Z Виробник : ONSEMI ntd600n80s3z-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 21A; 60W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 21A
Drain-source voltage: 800V
товар відсутній