Технічний опис NTD60N02RT4G ON
Description: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V.
Інші пропозиції NTD60N02RT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NTD60N02RT4G | Виробник : ON |
 TO252 |
на замовлення 3601 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NTD60N02RT4G | Виробник : ON |
TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NTD60N02RT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
NTD60N02RT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 20 V |
товар відсутній |
|
 |
NTD60N02RT4G | Виробник : onsemi |
MOSFET 25V 62A N-Channel |
товар відсутній |