Продукція > ONSEMI > NTD60N03-001

NTD60N03-001 onsemi


NTD60N03-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
на замовлення 29240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
519+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD60N03-001 onsemi

Description: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції NTD60N03-001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTD60N03-001 NTD60N03-001 onsemi NTD60N03-D.pdf Description: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001 NTD60N03-001 onsemi NTD60N03-D.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001 NTD60N03-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD60N03-001 NTD60N03-D.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.