Продукція > ONSEMI > NTD6414ANT4G
NTD6414ANT4G

NTD6414ANT4G onsemi


ntd6414an-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1811 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.60 грн
10+55.91 грн
100+46.13 грн
500+34.05 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD6414ANT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD6414ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NTD6414ANT4G за ціною від 31.86 грн до 91.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Виробник : onsemi D4C2A9255E1147317DC5DE2F5E0DC7F85C09297870547B4A75DFCD6F2EB21C4C.pdf MOSFETs NFET DPAK 100V 34A 37MO
на замовлення 11056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.92 грн
10+61.99 грн
100+44.48 грн
500+34.97 грн
1000+31.93 грн
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300816-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD6414ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+91.26 грн
50+66.10 грн
100+55.61 грн
500+40.63 грн
1000+34.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Виробник : ON Semiconductor ntd6414an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Виробник : onsemi ntd6414an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6414ANT4G Виробник : ONSEMI ntd6414an-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; Idm: 117A; 100W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 100W
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 117A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.