NTD6415ANLT4G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 59.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD6415ANLT4G onsemi
Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTD6415ANLT4G за ціною від 56.75 грн до 141.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD6415ANLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD6415ANLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V |
на замовлення 5143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTD6415ANLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTD6415ANLT4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 100V HD3E NCH |
на замовлення 3957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTD6415ANLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 246 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
NTD6415ANLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NTD6415ANLT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| NTD6415ANLT4G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 80A; 83W; DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 16A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: DPAK |
товару немає в наявності |