Продукція > ONSEMI > NTD6415ANLT4G
NTD6415ANLT4G

NTD6415ANLT4G onsemi

ntd6415anl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+59.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD6415ANLT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.

Інші пропозиції NTD6415ANLT4G за ціною від 65.38 грн до 234.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G onsemi ntd6415anl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.07 грн
10+131.96 грн
50+100.97 грн
100+85.41 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G onsemi ntd6415anl-d.pdf MOSFETs 100V HD3E NCH
на замовлення 4019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+234.36 грн
10+150.55 грн
100+90.28 грн
500+75.09 грн
1000+69.89 грн
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013670147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G ONSEMI ONSM-S-A0013670147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G ntd6415anl-d.pdf
NTD6415ANLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.07 грн
10+131.96 грн
50+100.97 грн
100+85.41 грн
500+68.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G ntd6415anl-d.pdf
NTD6415ANLT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V HD3E NCH
на замовлення 4019 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.36 грн
10+150.55 грн
100+90.28 грн
500+75.09 грн
1000+69.89 грн
2500+65.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G ONSM-S-A0013670147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD6415ANLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6415ANLT4G ONSM-S-A0013670147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTD6415ANLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6415ANLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 23 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.