Продукція > ONSEMI > NTD6416ANT4G
NTD6416ANT4G

NTD6416ANT4G onsemi

ntd6416an-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+34.20 грн
5000+30.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD6416ANT4G onsemi

Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NTD6416ANT4G за ціною від 30.44 грн до 136.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ONSEMI ntd6416an-d.pdf Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.62 грн
500+42.63 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G onsemi ntd6416an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+60.28 грн
100+44.96 грн
500+37.76 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ON Semiconductor ntd6416an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+115.62 грн
250+73.73 грн
1000+59.11 грн
2500+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G onsemi ntd6416an-d.pdf MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 96MO
на замовлення 28645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+80.18 грн
100+46.60 грн
500+38.24 грн
1000+34.31 грн
2500+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G ONSEMI ntd6416an-d.pdf Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.92 грн
10+83.76 грн
100+56.62 грн
500+42.63 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+56.62 грн
500+42.63 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 10867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+87.76 грн
10+60.28 грн
100+44.96 грн
500+37.76 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
123+115.62 грн
250+73.73 грн
1000+59.11 грн
2500+51.70 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 96MO
на замовлення 28645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+132.09 грн
10+80.18 грн
100+46.60 грн
500+38.24 грн
1000+34.31 грн
2500+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTD6416ANT4G ntd6416an-d.pdf
NTD6416ANT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD6416ANT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.073 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+136.92 грн
10+83.76 грн
100+56.62 грн
500+42.63 грн
1000+35.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.