Продукція > ONSEMI > NTD65N03RT4G
NTD65N03RT4G

NTD65N03RT4G onsemi

ntd65n03r-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 123238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1401+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 1401
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD65N03RT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V.

Інші пропозиції NTD65N03RT4G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD65N03RT4G Виробник : ON ntd65n03r-d.pdf 07+;
на замовлення 69950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTD65N03RT4G NTD65N03RT4G Виробник : onsemi ntd65n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 9.5A/32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
товар відсутній