Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTDV20P06LT4G-VF01

NTDV20P06LT4G-VF01 ON Semiconductor

Name: NTDV20P06LT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: 56441690-4
Price: 435.69 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTDV20P06LT4G-VF01 ON Semiconductor

Description: PFET DPAK 60V 15.5A 130R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTDV20P06LT4G-VF01

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NTDV20P06LT4G-VF01	Виробник : onsemi	Description: PFET DPAK 60V 15.5A 130R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTDV20P06LT4G-VF01	Виробник : onsemi	Description: PFET DPAK 60V 15.5A 130R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTDV20P06LT4G-VF01	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET PFET DPAK 60V 15.5A 130R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTDV20P06LT4G-VF01	Виробник : onsemi	MOSFETs PFET DPAK 60V 15.5A 130R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NTDV20P06LT4G-VF01	Виробник : ONSEMI	Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 60V; 15.5A; Idm: 50A; 65W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 15.5A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 65W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 143mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.