Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE102A

NTE102A NTE Electronics, Inc

Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS PNP 1A TO1

на замовлення 281 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTE102A NTE Electronics, Inc

Description: NTE ELECTRONICS - NTE102A - TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 63, Verlustleistung Pd: 650, Übergangsfrequenz ft: -, Bauform - Transistor: TO-1, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 999, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 1, Betriebstemperatur, max.: 90, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

Інші пропозиції NTE102A

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	NTE102A	NTE ELECTRONICS	Description: NTE ELECTRONICS - NTE102A - TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 63 Verlustleistung Pd: 650 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-1 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 999 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 90 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	NTE102A	NTE Electronics, Inc.	Trans GP BJT PNP 1A 3-Pin TO-1	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

NTE102A

Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE102A - TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 63
Verlustleistung Pd: 650
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-1
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 999
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 90
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NTE102A

Виробник: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT PNP 1A 3-Pin TO-1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.