Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE128
NTE128

NTE128 NTE Electronics, Inc

nte128.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.66 грн
10+170.83 грн
20+161.92 грн
50+143.59 грн
100+140.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE128 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bag, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NTE128 за ціною від 193.99 грн до 984.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTE128 NTE128 NTE Electronics, Inc. nte128.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+984.99 грн
40+356.10 грн
62+230.11 грн
100+193.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE128 NTE128 NTE ELECTRONICS 198508.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE128 nte128.pdf
NTE128
Виробник: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+984.99 грн
40+356.10 грн
62+230.11 грн
100+193.99 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE128 198508.pdf
NTE128
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.