NTE128 NTE Electronics, Inc


nte128.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+189.26 грн
10+173.21 грн
20+164.18 грн
50+145.59 грн
100+142.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE128 NTE Electronics, Inc

Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 400MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bag.

Інші пропозиції NTE128 за ціною від 192.27 грн до 976.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTE128 NTE128 NTE Electronics, Inc. nte128.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+976.28 грн
40+352.95 грн
62+228.07 грн
100+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE128 NTE128 NTE ELECTRONICS 198508.pdf Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTE128 nte128.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+976.28 грн
40+352.95 грн
62+228.07 грн
100+192.27 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTE128 198508.pdf
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.