NTE128 NTE Electronics, Inc
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TO-39
Frequency - Transition: 400MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 189.26 грн |
| 10+ | 173.21 грн |
| 20+ | 164.18 грн |
| 50+ | 145.59 грн |
| 100+ | 142.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE128 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Power - Max: 800 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: TO-39, Frequency - Transition: 400MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Packaging: Bag.
Інші пропозиції NTE128 за ціною від 192.27 грн до 976.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTE128 | NTE Electronics, Inc. |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE128 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: - Verlustleistung Pd: 800 Übergangsfrequenz ft: 400 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NTE128 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics, Inc.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 976.28 грн |
| 40+ | 352.95 грн |
| 62+ | 228.07 грн |
| 100+ | 192.27 грн |
| NTE128 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 300
MSL: -
Verlustleistung Pd: 800
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




