на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 1097.95 грн |
| 31+ | 397.65 грн |
| 50+ | 256.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTE128P NTE Electronics, Inc.
Description: TRANS NPN 80V 1A TO237, Packaging: Bag, Package / Case: TO-237AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-237, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 850 mW.
Інші пропозиції NTE128P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTE128P | Виробник : NTE Electronics, Inc. |
 Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-237 |
товару немає в наявності |
|
 |
NTE128P | Виробник : NTE Electronics, Inc |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO237 Packaging: Bag Package / Case: TO-237AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 350mA, 2V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-237 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 850 mW |
товару немає в наявності |