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Технічний опис NTE157 NTE Electronics, Inc
Description: NTE ELECTRONICS - NTE157 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 30, Verlustleistung Pd: 20, Übergangsfrequenz ft: 10, Bauform - Transistor: TO-126, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
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| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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NTE157 | NTE ELECTRONICS |
 Description: NTE ELECTRONICS - NTE157 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 20 Übergangsfrequenz ft: 10 Bauform - Transistor: TO-126 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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| NTE157 |
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Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE157 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE157 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Verlustleistung Pd: 20
Übergangsfrequenz ft: 10
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
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