Технічний опис NTE161 NTE Electronics, Inc
Description: NTE ELECTRONICS - NTE161 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V, Transistormontage: Through Hole, DC-Stromverstärkung hFE: 175, Verlustleistung Pd: 550, Übergangsfrequenz ft: 600, Bauform - Transistor: Metal Can, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1, Betriebstemperatur, max.: 200, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції NTE161
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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NTE161 | NTE ELECTRONICS |
 Description: NTE ELECTRONICS - NTE161 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 175 Verlustleistung Pd: 550 Übergangsfrequenz ft: 600 Bauform - Transistor: Metal Can Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
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| NTE161 |
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Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE161 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 175
Verlustleistung Pd: 550
Übergangsfrequenz ft: 600
Bauform - Transistor: Metal Can
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE161 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 175
Verlustleistung Pd: 550
Übergangsfrequenz ft: 600
Bauform - Transistor: Metal Can
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 15
Anzahl der Pins: 3
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Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
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