Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE2373
NTE2373

NTE2373 NTE Electronics, Inc

nte2373.pdf Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.00 грн
10+520.34 грн
20+493.52 грн
50+437.26 грн
100+426.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2373 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220, Packaging: Bag, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTE2373 за ціною від 468.08 грн до 706.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE2373 NTE2373 Виробник : NTE Electronics nte2373.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2373 NTE2373 Виробник : NTE Electronics nte2373.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.11 грн
3+528.10 грн
6+480.95 грн
25+468.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2373 NTE2373 Виробник : NTE Electronics, Inc. nte2373.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.