Продукція > NTE ELECTRONICS, INC > NTE2376
NTE2376

NTE2376 NTE Electronics, Inc

nte2376.pdf
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+944.98 грн
10+864.56 грн
20+819.14 грн
50+726.10 грн
100+709.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTE2376 NTE Electronics, Inc

Description: MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247, Packaging: Bag, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NTE2376 за ціною від 955.45 грн до 1236.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTE2376 Виробник : NTE Electronics, Inc. nte2376.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1236.92 грн
25+955.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.